por MISSARG Jue Ene 29, 2009 9:53 pmChips transparentes para computación
(NC&T) El nuevo chip es similar en algunas de sus características a la tecnología actual de la memoria CMOS. Ésta es la empleada en los chips comerciales comunes que les proporcionan la capacidad de almacenamiento de datos a los dispositivos popularmente conocidos como lápices de datos, entre otros nombres, y también a otros aparatos. Al igual que los dispositivos CMOS, el nuevo chip proporciona memoria "no volátil", lo que significa que aunque se le retire la energía eléctrica no pierde la información digital almacenada. Sin embargo, a diferencia de los dispositivos CMOS, el nuevo chip TRRAM es casi del todo transparente
El equipo coreano también está desarrollando un dispositivo TRRAM utilizando materiales flexibles.
Integrando el dispositivo TRRAM con otros componentes electrónicos transparentes, es posible crear un sistema electrónico completo que lo sea también.
Técnicamente, el dispositivo TRRAM se basa en una tecnología existente conocida como RRAM, la cual ya está en desarrollo comercial para futuros dispositivos electrónicos de almacenamiento de datos. La RRAM se fabrica utilizando ciertos materiales compuestos por óxidos metálicos. Tales materiales son muy transparentes. Lo que hizo el equipo coreano fue construir un chip emparedando estos materiales entre sustratos y electrodos igualmente transparentes.
Según el equipo coreano, los dispositivos TRRAM son fáciles de fabricar y pueden estar disponibles comercialmente dentro de apenas 3 ó 4 años. Sin embargo, no se pretende que reemplacen por completo a los dispositivos CMOS actuales. En lugar de eso, Jung Won Seo, uno de los autores principales de la investigación, augura que los nuevos dispositivos transparentes conducirán la electrónica hacia nuevas direcciones.
Los investigadores están seguros de que la tecnología TRRAM se convertirá dentro de poco, después de que se compruebe su fiabilidad y se solucionen los problemas de fabricación aún pendientes, en una de las alternativas a la actual memoria flash basada en la tecnología CMOS. Los nuevos dispositivos se pueden producir a bajo costo porque se puede utilizar cualquier material transparente como sustrato y electrodo. También pueden no requerir de la incorporación de elementos químicos raros como el indio.
(NC&T) El nuevo chip es similar en algunas de sus características a la tecnología actual de la memoria CMOS. Ésta es la empleada en los chips comerciales comunes que les proporcionan la capacidad de almacenamiento de datos a los dispositivos popularmente conocidos como lápices de datos, entre otros nombres, y también a otros aparatos. Al igual que los dispositivos CMOS, el nuevo chip proporciona memoria "no volátil", lo que significa que aunque se le retire la energía eléctrica no pierde la información digital almacenada. Sin embargo, a diferencia de los dispositivos CMOS, el nuevo chip TRRAM es casi del todo transparente
El equipo coreano también está desarrollando un dispositivo TRRAM utilizando materiales flexibles.
Integrando el dispositivo TRRAM con otros componentes electrónicos transparentes, es posible crear un sistema electrónico completo que lo sea también.
Técnicamente, el dispositivo TRRAM se basa en una tecnología existente conocida como RRAM, la cual ya está en desarrollo comercial para futuros dispositivos electrónicos de almacenamiento de datos. La RRAM se fabrica utilizando ciertos materiales compuestos por óxidos metálicos. Tales materiales son muy transparentes. Lo que hizo el equipo coreano fue construir un chip emparedando estos materiales entre sustratos y electrodos igualmente transparentes.
Según el equipo coreano, los dispositivos TRRAM son fáciles de fabricar y pueden estar disponibles comercialmente dentro de apenas 3 ó 4 años. Sin embargo, no se pretende que reemplacen por completo a los dispositivos CMOS actuales. En lugar de eso, Jung Won Seo, uno de los autores principales de la investigación, augura que los nuevos dispositivos transparentes conducirán la electrónica hacia nuevas direcciones.
Los investigadores están seguros de que la tecnología TRRAM se convertirá dentro de poco, después de que se compruebe su fiabilidad y se solucionen los problemas de fabricación aún pendientes, en una de las alternativas a la actual memoria flash basada en la tecnología CMOS. Los nuevos dispositivos se pueden producir a bajo costo porque se puede utilizar cualquier material transparente como sustrato y electrodo. También pueden no requerir de la incorporación de elementos químicos raros como el indio.
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